1N5622US
Osa numero:
1N5622US
Valmistaja:
Microsemi
Kuvaus:
DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
13628 Pieces
Tietolomake:
1N5622US.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä 1N5622US, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma 1N5622US sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa 1N5622US BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Eteenpäin (Vf) (Max) @ Jos:1.3V @ 3A
Jännite - DC Reverse (Vr) (Max):1000V (1kV)
Toimittaja Device Package:D-5A
Nopeus:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Sarja:-
Käänteinen Recovery Time (TRR):2µs
Pakkaus:Bulk
Pakkaus / Case:SQ-MELF, A
Käyttölämpötila - liitäntä:-65°C ~ 200°C
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:7 Weeks
Valmistajan osanumero:1N5622US
Laajennettu kuvaus:Diode Standard 1000V (1kV) 1A Surface Mount D-5A
diodi Tyyppi:Standard
Kuvaus:DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A
Nykyinen - Käänteinen Vuoto @ Vr:500nA @ 1000V
Nykyinen - Keskimääräinen Puhdistettu (Io):1A
Kapasitanssi @ Vr, F:-
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit