1N649-1
1N649-1
Osa numero:
1N649-1
Valmistaja:
Microsemi
Kuvaus:
DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
12214 Pieces
Tietolomake:
1N649-1.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä 1N649-1, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma 1N649-1 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa 1N649-1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Eteenpäin (Vf) (Max) @ Jos:1V @ 400mA
Jännite - DC Reverse (Vr) (Max):600V
Toimittaja Device Package:DO-35
Nopeus:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Sarja:-
Pakkaus:Bulk
Pakkaus / Case:DO-204AH, DO-35, Axial
Käyttölämpötila - liitäntä:-65°C ~ 175°C
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:8 Weeks
Valmistajan osanumero:1N649-1
Laajennettu kuvaus:Diode Standard 600V 400mA Through Hole DO-35
diodi Tyyppi:Standard
Kuvaus:DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35
Nykyinen - Käänteinen Vuoto @ Vr:50nA @ 600V
Nykyinen - Keskimääräinen Puhdistettu (Io):400mA
Kapasitanssi @ Vr, F:-
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit