1N6631US
Osa numero:
1N6631US
Valmistaja:
Microsemi
Kuvaus:
DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A A-MELF
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
17578 Pieces
Tietolomake:
1N6631US.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä 1N6631US, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma 1N6631US sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa 1N6631US BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Eteenpäin (Vf) (Max) @ Jos:1.4V @ 1.4A
Jännite - DC Reverse (Vr) (Max):1100V (1.1kV)
Toimittaja Device Package:A-MELF
Nopeus:Fast Recovery = 200mA (Io)
Sarja:-
Käänteinen Recovery Time (TRR):60ns
Pakkaus:Bulk
Pakkaus / Case:SQ-MELF, A
Käyttölämpötila - liitäntä:-65°C ~ 150°C
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:1N6631US
Laajennettu kuvaus:Diode Standard 1100V (1.1kV) 1.4A Surface Mount A-MELF
diodi Tyyppi:Standard
Kuvaus:DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A A-MELF
Nykyinen - Käänteinen Vuoto @ Vr:4µA @ 1100V
Nykyinen - Keskimääräinen Puhdistettu (Io):1.4A
Kapasitanssi @ Vr, F:40pF @ 10V, 1MHz
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit