Ostaa ALD212902PAL BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
ALD212902PAL
- Osa numero:
- ALD212902PAL
- Valmistaja:
- Advanced Linear Devices, Inc.
- Kuvaus:
- MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 16120 Pieces
- Tietolomake:
- ALD212902PAL.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä ALD212902PAL, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma ALD212902PAL sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 20mV @ 10µA |
|---|---|
| Toimittaja Device Package: | 8-PDIP |
| Sarja: | EPAD®, Zero Threshold™ |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | - |
| Virta - Max: | 500mW |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Käyttölämpötila: | 0°C ~ 70°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 10 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | ALD212902PAL |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| FET tyyppi: | 2 N-Channel (Dual) Matched Pair |
| FET Ominaisuus: | Logic Level Gate |
| Laajennettu kuvaus: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Matched Pair 10.6V 80mA 500mW Through Hole 8-PDIP |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 10.6V |
| Kuvaus: | MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 80mA |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat ALD212902PAL
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
ALD212900PAL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP | tiedustelu |
|
ALD212908SAL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC | tiedustelu |
|
ALD212904SAL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC | tiedustelu |
|
ALD212902SAL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC | tiedustelu |
|
ALD212900APAL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP | tiedustelu |
|
ALD212900ASAL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC | tiedustelu |
|
ALD212900SAL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC | tiedustelu |
 |
ALD212908PAL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP | tiedustelu |
|
ALD212908ASAL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC | tiedustelu |
|
ALD212904PAL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP | tiedustelu |
|
ALD212908APAL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog