Ostaa AOV11S60 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 4.1V @ 250µA |
---|---|
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | 4-DFN-EP (8x8) |
Sarja: | aMOS™ |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 500 mOhm @ 3.8A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 8.3W (Ta), 156W (Tc) |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | 4-VSFN Exposed Pad |
Muut nimet: | 785-1683-2 |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 3 (168 Hours) |
Valmistajan toimitusaika: | 16 Weeks |
Valmistajan osanumero: | AOV11S60 |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 545pF @ 100V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 11nC @ 10V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 600V 650mA (Ta), 8A (Tc) 8.3W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount 4-DFN-EP (8x8) |
Valua lähde jännite (Vdss): | 600V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 600V 0.65A 5-DFN |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 650mA (Ta), 8A (Tc) |
Email: | [email protected] |