Ostaa APL1001J BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 2.5mA |
---|---|
Vgs (Max): | ±30V |
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | ISOTOP® |
Sarja: | - |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 600 mOhm @ 500mA, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 520W (Tc) |
Pakkaus: | Tube |
Pakkaus / Case: | SOT-227-4, miniBLOC |
Muut nimet: | APL1001JMI APL1001JMI-ND |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Chassis Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan osanumero: | APL1001J |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 7200pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 1000V (1kV) 18A 520W (Tc) Chassis Mount ISOTOP® |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
Valua lähde jännite (Vdss): | 1000V (1kV) |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 1000V 18A SOT-227 |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 18A |
Email: | [email protected] |