Ostaa APT10035B2LLG BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 5V @ 2.5mA |
---|---|
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | T-MAX™ [B2] |
Sarja: | POWER MOS 7® |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 350 mOhm @ 14A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 690W (Tc) |
Pakkaus: | Tube |
Pakkaus / Case: | TO-247-3 Variant |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Through Hole |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan osanumero: | APT10035B2LLG |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 5185pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 186nC @ 10V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 1000V (1kV) 28A (Tc) 690W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2] |
Valua lähde jännite (Vdss): | 1000V (1kV) |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 28A (Tc) |
Email: | [email protected] |