Ostaa APT200GN60B2G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
APT200GN60B2G
- Osa numero:
- APT200GN60B2G
- Valmistaja:
- Microsemi
- Kuvaus:
- IGBT 600V 283A 682W TO247
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 19433 Pieces
- Tietolomake:
- 1.APT200GN60B2G.pdf2.APT200GN60B2G.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä APT200GN60B2G, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma APT200GN60B2G sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max): | 600V |
|---|---|
| Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: | 1.85V @ 15V, 200A |
| Testaa kunto: | 400V, 200A, 1 Ohm, 15V |
| Td (päällä / pois) @ 25 ° C: | 50ns/560ns |
| Switching Energy: | 13mJ (on), 11mJ (off) |
| Sarja: | - |
| Virta - Max: | 682W |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-247-3 |
| Muut nimet: | APT200GN60B2GMI APT200GN60B2GMI-ND |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 22 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | APT200GN60B2G |
| Syötetyyppi: | Standard |
| IGBT Tyyppi: | Trench Field Stop |
| Gate Charge: | 1180nC |
| Laajennettu kuvaus: | IGBT Trench Field Stop 600V 283A 682W Through Hole |
| Kuvaus: | IGBT 600V 283A 682W TO247 |
| Nykyinen - Collector Pulssi (ICM): | 600A |
| Nykyinen - Collector (le) (Max): | 283A |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat APT200GN60B2G
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
APT20M22JVRU3 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 200V 97A SOT-227 | tiedustelu |
|
APT20M11JVR | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 200V 175A SOT-227 | tiedustelu |
 |
APT200GN60JDQ4 | Microsemi Corporation | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | tiedustelu |
|
APT200GN60JG | Microsemi Corporation | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | tiedustelu |
 |
APT20M38BVFRG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 200V 67A TO-247 | tiedustelu |
 |
APT20M38SVRG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 200V 67A D3PAK | tiedustelu |
|
APT200GN60J | Microsemi Corporation | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | tiedustelu |
|
APT20M38SVFRG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 200V 67A D3PAK | tiedustelu |
|
APT20F50B | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 20A TO-247 | tiedustelu |
 |
APT20M22B2VFRG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 200V 100A T-MAX | tiedustelu |
|
APT200GN60JDQ4G | Microsemi Corporation | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | tiedustelu |
|
APT200GT60JR | Microsemi Corporation | IGBT 600V 195A ISOTOP | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog