Ostaa APT20M38SVRG/TR BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
APT20M38SVRG/TR
- Osa numero:
- APT20M38SVRG/TR
- Valmistaja:
- Microsemi
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 200V 67A D3PAK
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 17017 Pieces
- Tietolomake:
- APT20M38SVRG/TR.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä APT20M38SVRG/TR, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma APT20M38SVRG/TR sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 1mA |
|---|---|
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | D3Pak |
| Sarja: | POWER MOS V® |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 38 mOhm @ 33.5A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 370W (Tc) |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 22 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | APT20M38SVRG/TR |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 6120pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 225nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 200V 67A (Tc) 370W (Tc) Surface Mount D3Pak |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 200V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 200V 67A D3PAK |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 67A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat APT20M38SVRG/TR
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
APT20M38SVRG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 200V 67A D3PAK | tiedustelu |
 |
APT20M38BVFRG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 200V 67A TO-247 | tiedustelu |
 |
APT20M11JVR | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 200V 175A SOT-227 | tiedustelu |
|
APT20M38SVFRG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 200V 67A D3PAK | tiedustelu |
|
APT20M38BVRG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 200V 67A TO-247 | tiedustelu |
 |
APT20SCD120B | Microsemi Corporation | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 68A | tiedustelu |
|
APT200GN60B2G | Microsemi Corporation | IGBT 600V 283A 682W TO247 | tiedustelu |
|
APT20F50B | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 20A TO-247 | tiedustelu |
|
APT20M22JVRU3 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 200V 97A SOT-227 | tiedustelu |
 |
APT20M22B2VFRG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 200V 100A T-MAX | tiedustelu |
 |
APT200GN60JG | Microsemi Corporation | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog