Ostaa APT25SM120S BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 1mA |
---|---|
teknologia: | SiCFET (Silicon Carbide) |
Toimittaja Device Package: | D3 |
Sarja: | - |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 175 mOhm @ 10A, 20V |
Tehonkulutus (Max): | 175W (Tc) |
Pakkaus: | Bulk |
Pakkaus / Case: | D-3 Module |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Chassis Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan toimitusaika: | 22 Weeks |
Valmistajan osanumero: | APT25SM120S |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 72nC @ 20V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 1200V (1.2kV) 25A (Tc) 175W (Tc) Chassis Mount D3 |
Valua lähde jännite (Vdss): | 1200V (1.2kV) |
Kuvaus: | POWER MOSFET - SIC |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 25A (Tc) |
Email: | [email protected] |