APT26F120B2
APT26F120B2
Osa numero:
APT26F120B2
Valmistaja:
Microsemi
Kuvaus:
MOSFET N-CH 1200V 27A T-MAX
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
18539 Pieces
Tietolomake:
1.APT26F120B2.pdf2.APT26F120B2.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä APT26F120B2, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma APT26F120B2 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa APT26F120B2 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 2.5mA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:T-MAX™
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:650 mOhm @ 14A, 10V
Tehonkulutus (Max):1135W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-247-3 Variant
Muut nimet:APT26F120B2MI
APT26F120B2MI-ND
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:22 Weeks
Valmistajan osanumero:APT26F120B2
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:9670pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:300nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 1200V (1.2kV) 27A (Tc) 1135W (Tc) Through Hole T-MAX™
Valua lähde jännite (Vdss):1200V (1.2kV)
Kuvaus:MOSFET N-CH 1200V 27A T-MAX
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:27A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit