Ostaa APT33GF120LRDQ2G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
APT33GF120LRDQ2G
- Osa numero:
- APT33GF120LRDQ2G
- Valmistaja:
- Microsemi
- Kuvaus:
- IGBT 1200V 64A 357W TO264
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 13373 Pieces
- Tietolomake:
- APT33GF120LRDQ2G.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä APT33GF120LRDQ2G, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma APT33GF120LRDQ2G sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max): | 1200V |
|---|---|
| Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: | 3V @ 15V, 25A |
| Testaa kunto: | 800V, 25A, 4.3 Ohm, 15V |
| Td (päällä / pois) @ 25 ° C: | 14ns/185ns |
| Switching Energy: | 1.315mJ (on), 1.515mJ (off) |
| Toimittaja Device Package: | TO-264 [L] |
| Sarja: | - |
| Virta - Max: | 357W |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-264-3, TO-264AA |
| Muut nimet: | APT33GF120LRDQ2GMI APT33GF120LRDQ2GMI-ND |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | APT33GF120LRDQ2G |
| Syötetyyppi: | Standard |
| IGBT Tyyppi: | NPT |
| Gate Charge: | 170nC |
| Laajennettu kuvaus: | IGBT NPT 1200V 64A 357W Through Hole TO-264 [L] |
| Kuvaus: | IGBT 1200V 64A 357W TO264 |
| Nykyinen - Collector Pulssi (ICM): | 75A |
| Nykyinen - Collector (le) (Max): | 64A |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat APT33GF120LRDQ2G
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
STGW35HF60W | STMicroelectronics | IGBT 600V 60A 200W TO247 | tiedustelu |
 |
IXBH14N250A | IXYS | IGBT 2500V TO247AD | tiedustelu |
|
IXGH40N60A3D1 | IXYS | IGBT 600V TO-247 | tiedustelu |
|
IXXH40N65B4H1 | IXYS | IGBT 650V 120A 455W TO247AD | tiedustelu |
 |
APT33GF120BRG | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 52A 297W TO247 | tiedustelu |
 |
APT33N90JCU2 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 | tiedustelu |
|
IXGH30N60B | IXYS | IGBT 600V 60A 200W TO247AD | tiedustelu |
 |
APT33GF120B2RDQ2G | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 64A 357W TMAX | tiedustelu |
 |
RJH60F0DPK-00#T0 | Renesas Electronics America | IGBT 600V 50A 201.6W TO-3P | tiedustelu |
|
IXGH30N120C3H1 | IXYS | IGBT 1200V 48A 250W TO247AD | tiedustelu |
|
APT33N90JCCU2 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 | tiedustelu |
|
APT33N90JCU3 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 | tiedustelu |
|
APT33N90JCCU3 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 | tiedustelu |
 |
IRGIB4630DPBF | Infineon Technologies | IGBT 600V 47A 206W TO220 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers