APT56F60B2
APT56F60B2
Osa numero:
APT56F60B2
Valmistaja:
Microsemi
Kuvaus:
MOSFET N-CH 600V 60A TO-247
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
15475 Pieces
Tietolomake:
APT56F60B2.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä APT56F60B2, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma APT56F60B2 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa APT56F60B2 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 2.5mA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:T-MAX™ [B2]
Sarja:POWER MOS 8™
RDS (Max) @ Id, Vgs:110 mOhm @ 28A, 10V
Tehonkulutus (Max):1040W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-247-3 Variant
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:22 Weeks
Valmistajan osanumero:APT56F60B2
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:11300pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:280nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 600V 60A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
Valua lähde jännite (Vdss):600V
Kuvaus:MOSFET N-CH 600V 60A TO-247
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:60A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit