Ostaa APT58MJ50J BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 5V @ 2.5mA |
---|---|
Vgs (Max): | ±30V |
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | ISOTOP® |
Sarja: | POWER MOS 8™ |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 65 mOhm @ 42A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 540W (Tc) |
Pakkaus: | Tube |
Pakkaus / Case: | SOT-227-4, miniBLOC |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Chassis Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan osanumero: | APT58MJ50J |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 13500pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 340nC @ 10V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 500V 58A (Tc) 540W (Tc) Chassis Mount ISOTOP® |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
Valua lähde jännite (Vdss): | 500V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 500V 58A ISOTOP |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 58A (Tc) |
Email: | [email protected] |