Ostaa APT70GR120B2 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
APT70GR120B2
- Osa numero:
- APT70GR120B2
- Valmistaja:
- Microsemi
- Kuvaus:
- IGBT 1200V 160A 961W TO247
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 19789 Pieces
- Tietolomake:
- APT70GR120B2.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä APT70GR120B2, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma APT70GR120B2 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max): | 1200V |
|---|---|
| Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: | 3.2V @ 15V, 70A |
| Testaa kunto: | 600V, 70A, 4.3 Ohm, 15V |
| Td (päällä / pois) @ 25 ° C: | 33ns/278ns |
| Switching Energy: | 3.82mJ (on), 2.58mJ (off) |
| Toimittaja Device Package: | TO-247 |
| Sarja: | - |
| Virta - Max: | 961W |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-247-3 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 22 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | APT70GR120B2 |
| Syötetyyppi: | Standard |
| IGBT Tyyppi: | NPT |
| Gate Charge: | 544nC |
| Laajennettu kuvaus: | IGBT NPT 1200V 160A 961W Through Hole TO-247 |
| Kuvaus: | IGBT 1200V 160A 961W TO247 |
| Nykyinen - Collector Pulssi (ICM): | 280A |
| Nykyinen - Collector (le) (Max): | 160A |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat APT70GR120B2
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
APT70GR120JD60 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 112A 543W SOT227 | tiedustelu |
 |
APT70GR65B2SCD30 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | tiedustelu |
 |
APT70GR120L | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 160A 961W TO264 | tiedustelu |
|
APT70SM70S | Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC | tiedustelu |
 |
STGWT30H60DFB | STMicroelectronics | IGBT 600V 60A 260W TO3PL | tiedustelu |
|
APT70GR120J | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 112A 543W SOT227 | tiedustelu |
 |
FGH40N60SFDTU | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 600V 80A 290W TO247 | tiedustelu |
 |
APT70GR65B | Microsemi Corporation | IGBT 650V 134A 595W TO-247 | tiedustelu |
|
APT70SM70J | Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC | tiedustelu |
|
APT70GR65B2DU40 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | tiedustelu |
|
APT70SM70B | Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog