APTM120SK68T1G
Osa numero:
APTM120SK68T1G
Valmistaja:
Microsemi
Kuvaus:
MOSFET N-CH 1200V 15A SP1
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
19360 Pieces
Tietolomake:
1.APTM120SK68T1G.pdf2.APTM120SK68T1G.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä APTM120SK68T1G, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma APTM120SK68T1G sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa APTM120SK68T1G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 2.5mA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:SP1
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:816 mOhm @ 12A, 10V
Tehonkulutus (Max):357W (Tc)
Pakkaus:Bulk
Pakkaus / Case:SP1
Käyttölämpötila:-40°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Chassis Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:APTM120SK68T1G
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:6696pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:260nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 1200V (1.2kV) 15A 357W (Tc) Chassis Mount SP1
Valua lähde jännite (Vdss):1200V (1.2kV)
Kuvaus:MOSFET N-CH 1200V 15A SP1
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:15A
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit