APTM50H10FT3G
Osa numero:
APTM50H10FT3G
Valmistaja:
Microsemi
Kuvaus:
MOSFET 4N-CH 500V 37A SP3
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
19501 Pieces
Tietolomake:
1.APTM50H10FT3G.pdf2.APTM50H10FT3G.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä APTM50H10FT3G, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma APTM50H10FT3G sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa APTM50H10FT3G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 1mA
Toimittaja Device Package:SP3
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:120 mOhm @ 18.5A, 10V
Virta - Max:312W
Pakkaus:Bulk
Pakkaus / Case:SP3
Käyttölämpötila:-40°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Chassis Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:22 Weeks
Valmistajan osanumero:APTM50H10FT3G
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:4367pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:96nC @ 10V
FET tyyppi:4 N-Channel (H-Bridge)
FET Ominaisuus:Standard
Laajennettu kuvaus:Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 500V 37A 312W Chassis Mount SP3
Valua lähde jännite (Vdss):500V
Kuvaus:MOSFET 4N-CH 500V 37A SP3
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:37A
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit