Ostaa B6S-G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
B6S-G
- Osa numero:
- B6S-G
- Valmistaja:
- Comchip Technology
- Kuvaus:
- RECT BRIDGE GPP 600V 0.8A MBS
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 17863 Pieces
- Tietolomake:
- B6S-G.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä B6S-G, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma B6S-G sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Peak Reverse (Max): | 600V |
|---|---|
| Jännite - Eteenpäin (Vf) (Max) @ Jos: | 1.1V @ 800mA |
| teknologia: | Standard |
| Toimittaja Device Package: | MBS |
| Sarja: | - |
| Pakkaus: | Original-Reel® |
| Pakkaus / Case: | TO-269AA, 4-BESOP |
| Muut nimet: | 641-1335-6 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 10 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | B6S-G |
| Laajennettu kuvaus: | Bridge Rectifier Single Phase 600V 800mA Surface Mount MBS |
| diodi Tyyppi: | Single Phase |
| Kuvaus: | RECT BRIDGE GPP 600V 0.8A MBS |
| Nykyinen - Käänteinen Vuoto @ Vr: | 5µA @ 600V |
| Nykyinen - Keskimääräinen Puhdistettu (Io): | 800mA |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat B6S-G
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
DF04M | Fairchild/ON Semiconductor | IC RECT BRIDGE 400V 1.5A 4DIP | tiedustelu |
 |
GBU4G-M3/51 | Vishay Semiconductor Diodes Division | BRIDGE RECT GPP 4A 400V GBU | tiedustelu |
 |
GBPC2508W-G | Comchip Technology | RECTIFIER BRIDGE 25A 800V GBPCW | tiedustelu |
 |
3N254 | Fairchild/ON Semiconductor | RECTIFIER BRIDGE 100V 2A KBPM | tiedustelu |
|
60MT140KB | Vishay Semiconductor Diodes Division | RECT BRIDGE 1400V 60A MTK | tiedustelu |
 |
VS-36MT20 | Vishay Semiconductor Diodes Division | RECT BRIDGE 3-PHA 200V 35A D63 | tiedustelu |
 |
CBRHD-06 BK | Central Semiconductor Corp | IC RECT BRIDGE 600V 0.5A HD DIP | tiedustelu |
 |
GBPC2501T | GeneSiC Semiconductor | DIODE BRIDGE 100V 25A GBPC-T/W | tiedustelu |
 |
GBJ1004-G | Comchip Technology | BRIDGE DIODE 10A 400V GBJ | tiedustelu |
 |
DBD10G-TM-E | ON Semiconductor | DIODE BRIDGE 1PH 1A 600V 4SMD | tiedustelu |
|
B6S-HF | Comchip Technology | DIODE BRIDGE 600V 0.8A MBS | tiedustelu |
 |
VJ247M | Microsemi Corporation | DIODE AVALANCHE BRIDGE 250V | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog