Ostaa C2M1000170D BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
C2M1000170D
- Osa numero:
- C2M1000170D
- Valmistaja:
- Cree
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 1700V 4.9A TO247
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 14279 Pieces
- Tietolomake:
- C2M1000170D.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä C2M1000170D, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma C2M1000170D sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.4V @ 100µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | +25V, -10V |
| teknologia: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Toimittaja Device Package: | TO-247-3 |
| Sarja: | Z-FET™ |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 1.1 Ohm @ 2A, 20V |
| Tehonkulutus (Max): | 69W (Tc) |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-247-3 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 8 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | C2M1000170D |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 191pF @ 1000V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 13nC @ 20V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 1700V (1.7kV) 4.9A (Tc) 69W (Tc) Through Hole TO-247-3 |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 20V |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 1700V (1.7kV) |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 1700V 4.9A TO247 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 4.9A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat C2M1000170D
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
C2M1000170J-TR | Cree/Wolfspeed | MOSFET N-CH 1700V 5.3A TO247 | tiedustelu |
 |
MKE11R600DCGFC | IXYS | MOSFET N-CH 600V 15A I4-PAC | tiedustelu |
 |
TK11A55D(STA4,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 550V 11A TO-220SIS | tiedustelu |
|
C2M1000170J | Cree/Wolfspeed | MOSFET N-CH 1700V 5.3A TO247 | tiedustelu |
 |
IXFH13N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 12.5A TO-247 | tiedustelu |
 |
IRLU3636PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 50A IPAK | tiedustelu |
 |
IRLR8259PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 57A DPAK | tiedustelu |
 |
NDS335N | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 1.7A SSOT3 | tiedustelu |
 |
2N7638-GA | GeneSiC Semiconductor | TRANS SJT 650V 8A TO276 | tiedustelu |
 |
SI7457DP-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers