Ostaa C3D04060F BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
C3D04060F
- Osa numero:
- C3D04060F
- Valmistaja:
- Cree
- Kuvaus:
- DIODE SCHOTTKY 600V 4A TO220-F2
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 19108 Pieces
- Tietolomake:
- C3D04060F.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä C3D04060F, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma C3D04060F sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Eteenpäin (Vf) (Max) @ Jos: | 1.7V @ 4A |
|---|---|
| Jännite - DC Reverse (Vr) (Max): | 600V |
| Toimittaja Device Package: | TO-220-F2 |
| Nopeus: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Sarja: | Z-Rec® |
| Käänteinen Recovery Time (TRR): | 0ns |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab |
| Käyttölämpötila - liitäntä: | -55°C ~ 175°C |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 4 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | C3D04060F |
| Laajennettu kuvaus: | Diode Silicon Carbide Schottky 600V 4A (DC) Through Hole TO-220-F2 |
| diodi Tyyppi: | Silicon Carbide Schottky |
| Kuvaus: | DIODE SCHOTTKY 600V 4A TO220-F2 |
| Nykyinen - Käänteinen Vuoto @ Vr: | 50µA @ 600V |
| Nykyinen - Keskimääräinen Puhdistettu (Io): | 4A (DC) |
| Kapasitanssi @ Vr, F: | 251pF @ 0V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat C3D04060F
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
C3D04065E-TR | Cree/Wolfspeed | DIODE SCHOTTKY 650V 4A TO252 | tiedustelu |
 |
C3D04060E | Cree/Wolfspeed | DIODE SCHOTTKY 600V 4A TO252-2 | tiedustelu |
 |
C3D04065E | Cree/Wolfspeed | DIODE SCHOTTKY 650V 4A TO252-2 | tiedustelu |
 |
C3D04065A | Cree/Wolfspeed | DIODE SCHOTTKY 650V 4A TO220-2 | tiedustelu |
|
C3D04060E-TR | Cree/Wolfspeed | DIODE SCHOTTKY 600V 15.5A TO252 | tiedustelu |
|
C3D04060A | Cree/Wolfspeed | DIODE SCHOTTKY 600V 4A TO220-2 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog