Ostaa C3D08065A BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
C3D08065A
- Osa numero:
- C3D08065A
- Valmistaja:
- Cree
- Kuvaus:
- DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220-2
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 15375 Pieces
- Tietolomake:
- C3D08065A.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä C3D08065A, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma C3D08065A sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Eteenpäin (Vf) (Max) @ Jos: | 1.8V @ 8A |
|---|---|
| Jännite - DC Reverse (Vr) (Max): | 650V |
| Toimittaja Device Package: | TO-220-2 |
| Nopeus: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Sarja: | Z-Rec® |
| Käänteinen Recovery Time (TRR): | 0ns |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-220-2 |
| Käyttölämpötila - liitäntä: | -55°C ~ 175°C |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 4 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | C3D08065A |
| Laajennettu kuvaus: | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 8A (DC) Through Hole TO-220-2 |
| diodi Tyyppi: | Silicon Carbide Schottky |
| Kuvaus: | DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220-2 |
| Nykyinen - Käänteinen Vuoto @ Vr: | 60µA @ 650V |
| Nykyinen - Keskimääräinen Puhdistettu (Io): | 8A (DC) |
| Kapasitanssi @ Vr, F: | 441pF @ 0V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat C3D08065A
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
C3D08060G-TR | Cree/Wolfspeed | DIODE SCHOTTKY 600V 20A TO263-2 | tiedustelu |
 |
C3D08060G | Cree/Wolfspeed | DIODE SCHOTTKY 600V 8A TO263-2 | tiedustelu |
 |
C3D08065E | Cree/Wolfspeed | DIODE SCHOTTKY 650V 25.5A TO252 | tiedustelu |
 |
C3D08065I | Cree/Wolfspeed | DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220-2 | tiedustelu |
 |
C3D08060A | Cree/Wolfspeed | DIODE SCHOTTKY 600V 8A TO220-2 | tiedustelu |
 |
SIDC14D60C6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 600V 50A WAFER | tiedustelu |
 |
VS-20ETF12FP-M3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO220FP | tiedustelu |
 |
SL22HE3/52T | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 20V 2A DO214AA | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog