Ostaa CSD18509Q5B BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.2V @ 250µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±20V |
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | 8-VSON (5x6) |
Sarja: | NexFET™ |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 1.2 mOhm @ 32A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 3.1W (Ta), 195W (Tc) |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | 8-PowerTDFN |
Muut nimet: | 296-41075-2 |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan toimitusaika: | 24 Weeks |
Valmistajan osanumero: | CSD18509Q5B |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 13900pF @ 20V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 195nC @ 10V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 40V 100A (Ta) 3.1W (Ta), 195W (Tc) Surface Mount 8-VSON (5x6) |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
Valua lähde jännite (Vdss): | 40V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 100A (Ta) |
Email: | [email protected] |