CSD23202W10
Osa numero:
CSD23202W10
Valmistaja:
Kuvaus:
MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
14679 Pieces
Tietolomake:
CSD23202W10.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä CSD23202W10, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma CSD23202W10 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa CSD23202W10 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:900mV @ 250µA
Vgs (Max):-6V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:4-DSBGA (1x1)
Sarja:NexFET™
RDS (Max) @ Id, Vgs:53 mOhm @ 500mA, 4.5V
Tehonkulutus (Max):1W (Ta)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:4-UFBGA, DSBGA
Muut nimet:296-40000-2
CSD23202W10-ND
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:14 Weeks
Valmistajan osanumero:CSD23202W10
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:512pF @ 6V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:3.8nC @ 4.5V
FET tyyppi:P-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:P-Channel 12V 2.2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 4-DSBGA (1x1)
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):1.5V, 4.5V
Valua lähde jännite (Vdss):12V
Kuvaus:MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:2.2A (Ta)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit