Ostaa CSD23202W10 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
CSD23202W10
- Osa numero:
- CSD23202W10
- Valmistaja:
- Kuvaus:
- MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 14679 Pieces
- Tietolomake:
- CSD23202W10.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä CSD23202W10, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma CSD23202W10 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 900mV @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | -6V |
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | 4-DSBGA (1x1) |
| Sarja: | NexFET™ |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 53 mOhm @ 500mA, 4.5V |
| Tehonkulutus (Max): | 1W (Ta) |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | 4-UFBGA, DSBGA |
| Muut nimet: | 296-40000-2 CSD23202W10-ND |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 14 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | CSD23202W10 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 512pF @ 6V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 3.8nC @ 4.5V |
| FET tyyppi: | P-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | P-Channel 12V 2.2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 4-DSBGA (1x1) |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 1.5V, 4.5V |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 12V |
| Kuvaus: | MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 2.2A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat CSD23202W10
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
|
CSD23285F5T | Texas Instruments | 12V P-CHANNEL FEMTOFET MOSFET | tiedustelu |
|
CSD23203WT | Texas Instruments | MOSFET P-CH 8V 3A 6DSBGA | tiedustelu |
|
CSD23202W10T | Texas Instruments | MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA | tiedustelu |
|
CSD23203W | Texas Instruments | MOSFET P-CH 8V 3A 6DSBGA | tiedustelu |
|
CSD23201W10 | Texas Instruments | MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA | tiedustelu |
|
CSD23280F3 | Texas Instruments | MOSFET P-CH 12V 1.8A PICOSTAR | tiedustelu |
|
CSD23285F5 | Texas Instruments | MOSFET P-CH 12V | tiedustelu |
|
CSD23382F4T | Texas Instruments | MOSFET P-CH 12V 22A 3PICOSTAR | tiedustelu |
|
CSD23280F3T | Texas Instruments | MOSFET P-CH 12V 1.8A PICOSTAR | tiedustelu |
|
CSD23381F4 | Texas Instruments | MOSFET P-CH 12V 3PICOSTAR | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog