CSD25301W1015
Osa numero:
CSD25301W1015
Valmistaja:
Kuvaus:
MOSFET P-CH 20V 2.2A 6DSBGA
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
15213 Pieces
Tietolomake:
CSD25301W1015.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä CSD25301W1015, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma CSD25301W1015 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa CSD25301W1015 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:6-DSBGA (1x1.5)
Sarja:NexFET™
RDS (Max) @ Id, Vgs:75 mOhm @ 1A, 4.5V
Tehonkulutus (Max):1.5W (Ta)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:6-UFBGA, DSBGA
Muut nimet:296-24259-2
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:CSD25301W1015
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:270pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:2.5nC @ 4.5V
FET tyyppi:P-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:P-Channel 20V 2.2A (Tc) 1.5W (Ta) Surface Mount 6-DSBGA (1x1.5)
Valua lähde jännite (Vdss):20V
Kuvaus:MOSFET P-CH 20V 2.2A 6DSBGA
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:2.2A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit