Ostaa CSD25304W1015T BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 1.15V @ 250µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±8V |
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | 6-DSBGA |
Sarja: | NexFET™ |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 32.5 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
Tehonkulutus (Max): | 750mW (Ta) |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | 6-UFBGA, DSBGA |
Muut nimet: | 296-38024-2 |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan toimitusaika: | 6 Weeks |
Valmistajan osanumero: | CSD25304W1015T |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 595pF @ 10V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 4.4nC @ 4.5V |
FET tyyppi: | P-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | P-Channel 20V 3A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount 6-DSBGA |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 1.8V, 4.5V |
Valua lähde jännite (Vdss): | 20V |
Kuvaus: | MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 3A (Ta) |
Email: | sales@bychips.com |