Ostaa DMN3008SFG-7 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
DMN3008SFG-7
- Osa numero:
- DMN3008SFG-7
- Valmistaja:
- Diodes Incorporated
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 30V 17.6A POWERDI
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 13249 Pieces
- Tietolomake:
- DMN3008SFG-7.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä DMN3008SFG-7, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma DMN3008SFG-7 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.3V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | PowerDI3333-8 |
| Sarja: | - |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 4.6 mOhm @ 13.5A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 900mW (Ta) |
| Pakkaus: | Original-Reel® |
| Pakkaus / Case: | 8-PowerWDFN |
| Muut nimet: | DMN3008SFG-7DIDKR |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 16 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | DMN3008SFG-7 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 3690pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 86nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 30V 17.6A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8 |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 30V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 30V 17.6A POWERDI |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 17.6A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat DMN3008SFG-7
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
DMN3007LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC | tiedustelu |
|
DMN3052LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 7.1A 8-SOIC | tiedustelu |
 |
DMN3042L-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23 | tiedustelu |
 |
DMN3024SFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 7.5A PWRDI3333-8 | tiedustelu |
 |
DMN3016LFDE-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 10A U-DFN2020-6 | tiedustelu |
 |
DMN3008SFGQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 30V 17.6A POWERDI | tiedustelu |
|
DMN3008SFGQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 30V 17.6A POWERDI | tiedustelu |
|
DMN3009SFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 16A POWERDI333 | tiedustelu |
 |
DMN3016LDN-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 7.3A 8VDFN | tiedustelu |
|
DMN3008SFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 17.6A POWERDI | tiedustelu |
 |
DMN3005LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 14.5A TO252-3L | tiedustelu |
|
DMN3009SFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 16A POWERDI333 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog