Ostaa DMN63D8LDW-7 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
DMN63D8LDW-7
- Osa numero:
- DMN63D8LDW-7
- Valmistaja:
- Diodes Incorporated
- Kuvaus:
- MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 17407 Pieces
- Tietolomake:
- DMN63D8LDW-7.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä DMN63D8LDW-7, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma DMN63D8LDW-7 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 1.5V @ 250µA |
|---|---|
| Toimittaja Device Package: | SOT-363 |
| Sarja: | - |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 2.8 Ohm @ 250mA, 10V |
| Virta - Max: | 300mW |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Muut nimet: | DMN63D8LDW-7TR DMN63D8LDW7 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 8 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | DMN63D8LDW-7 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 22pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 870nC @ 10V |
| FET tyyppi: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Ominaisuus: | Logic Level Gate |
| Laajennettu kuvaus: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 220mA 300mW Surface Mount SOT-363 |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 30V |
| Kuvaus: | MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 220mA |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat DMN63D8LDW-7
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
DMN63D8LDW-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363 | tiedustelu |
 |
DMN63D1LDW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363 | tiedustelu |
|
DMN63D8L-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 0.35A SOT23 | tiedustelu |
 |
DMN63D8LW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 0.38A SOT323 | tiedustelu |
|
DMN63D8LW-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 0.38A SOT323 | tiedustelu |
|
DMN63D1LW-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT323 | tiedustelu |
|
DMN63D8L-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 0.35A SOT23 | tiedustelu |
 |
DMN63D0LT-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V SOT523 | tiedustelu |
 |
DMN63D8LV-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 0.26A SOT563 | tiedustelu |
|
DMN63D1LW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT323 | tiedustelu |
|
DMN63D8LDWQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog