Ostaa DMS3016SFG-7 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
DMS3016SFG-7
- Osa numero:
- DMS3016SFG-7
- Valmistaja:
- Diodes Incorporated
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 30V 7A PWRDI3333-8
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 17171 Pieces
- Tietolomake:
- DMS3016SFG-7.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä DMS3016SFG-7, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma DMS3016SFG-7 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.2V @ 250µA |
|---|---|
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | PowerDI3333-8 |
| Sarja: | - |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 13 mOhm @ 11.2A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 980mW (Ta) |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | 8-PowerWDFN |
| Muut nimet: | DMS3016SFG-7DITR DMS3016SFG7 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | DMS3016SFG-7 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 1886pF @ 15V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 44.6nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | Schottky Diode (Body) |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 30V 7A (Ta) 980mW (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8 |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 30V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 30V 7A PWRDI3333-8 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 7A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat DMS3016SFG-7
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
DMS3017SSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 8A/6A 8SO | tiedustelu |
 |
DMS3014SFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 9.5A POWERDI | tiedustelu |
|
DMS3012SFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333-8 | tiedustelu |
|
DMS3015SSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 11A 8SO | tiedustelu |
|
DMS3019SSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 7A/5.7A 8SO | tiedustelu |
|
DMS3016SSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 9.8A 8SO | tiedustelu |
|
DMS3012SFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 12A POWERDI | tiedustelu |
|
DMS3014SSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 10.4A 8SO | tiedustelu |
|
DMS3016SSSA-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 9.8A SO-8 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog