DMS3016SSS-13
DMS3016SSS-13
Osa numero:
DMS3016SSS-13
Valmistaja:
Diodes Incorporated
Kuvaus:
MOSFET N-CH 30V 9.8A 8SO
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
19802 Pieces
Tietolomake:
DMS3016SSS-13.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä DMS3016SSS-13, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma DMS3016SSS-13 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa DMS3016SSS-13 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2.3V @ 250µA
Vgs (Max):±12V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:8-SO
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:13 mOhm @ 9.8A, 10V
Tehonkulutus (Max):1.54W (Ta)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Muut nimet:DMS3016SSS-13DITR
DMS3016SSS13
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:16 Weeks
Valmistajan osanumero:DMS3016SSS-13
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:1849pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:43nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:Schottky Diode (Body)
Laajennettu kuvaus:N-Channel 30V 9.8A (Ta) 1.54W (Ta) Surface Mount 8-SO
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Valua lähde jännite (Vdss):30V
Kuvaus:MOSFET N-CH 30V 9.8A 8SO
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:9.8A (Ta)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit