Ostaa DMTH8012LPS-13 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
DMTH8012LPS-13
- Osa numero:
- DMTH8012LPS-13
- Valmistaja:
- Diodes Incorporated
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 80V 9.5A PWRDI5060-8
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 19075 Pieces
- Tietolomake:
- DMTH8012LPS-13.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä DMTH8012LPS-13, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma DMTH8012LPS-13 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | PowerDI5060-8 |
| Sarja: | - |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 17 mOhm @ 12A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 2.6W (Ta), 136W (Tc) |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | 8-PowerTDFN |
| Muut nimet: | DMTH8012LPS-13DITR |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 16 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | DMTH8012LPS-13 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 1949pF @ 40V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 34nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 80V 10A (Ta), 72A (Tc) 2.6W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8 |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 80V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 80V 9.5A PWRDI5060-8 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 10A (Ta), 72A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat DMTH8012LPS-13
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
DMTH8012LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 80V 50A TO252 | tiedustelu |
 |
PMV20XNEAR | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V TO-236AB | tiedustelu |
 |
DMTH8012LK3Q-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 80V 50A TO252 | tiedustelu |
 |
AOT20C60L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 20A TO263 | tiedustelu |
 |
DMTH8012LPSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 80V 10A POWERDI | tiedustelu |
 |
IXFX180N25T | IXYS | MOSFET N-CH 250V 180A PLUS247 | tiedustelu |
 |
NTLUS3A18PZTAG | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 8.2A 6UDFN | tiedustelu |
 |
IRF620PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 5.2A TO-220AB | tiedustelu |
 |
IPA80R650CEXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V TO-220-3 | tiedustelu |
|
IPA65R190C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 8A TO220 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog