EPC2015
EPC2015
Osa numero:
EPC2015
Valmistaja:
EPC
Kuvaus:
TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
19734 Pieces
Tietolomake:
EPC2015.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä EPC2015, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma EPC2015 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa EPC2015 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 9mA
Vgs (Max):+6V, -5V
teknologia:GaNFET (Gallium Nitride)
Toimittaja Device Package:Die Outline (11-Solder Bar)
Sarja:eGaN®
RDS (Max) @ Id, Vgs:4 mOhm @ 33A, 5V
Tehonkulutus (Max):-
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:Die
Muut nimet:917-1019-2
Käyttölämpötila:-40°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:14 Weeks
Valmistajan osanumero:EPC2015
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:1200pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:11.6nC @ 5V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 40V 33A (Ta) Surface Mount Die Outline (11-Solder Bar)
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):5V
Valua lähde jännite (Vdss):40V
Kuvaus:TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:33A (Ta)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit