Ostaa EPC2025ENGR BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
EPC2025ENGR
- Osa numero:
- EPC2025ENGR
- Valmistaja:
- EPC
- Kuvaus:
- TRANS GAN 300V 4A BUMPED DIE
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 14400 Pieces
- Tietolomake:
- EPC2025ENGR.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä EPC2025ENGR, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma EPC2025ENGR sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 1mA |
|---|---|
| teknologia: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Toimittaja Device Package: | Die Outline (12-Solder Bar) |
| Sarja: | eGaN® |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 150 mOhm @ 3A, 5V |
| Tehonkulutus (Max): | - |
| Pakkaus: | Tray |
| Pakkaus / Case: | Die |
| Muut nimet: | 917-EPC2025ENGR EPC2025ENGRC |
| Käyttölämpötila: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | EPC2025ENGR |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 194pF @ 240V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 1.85nC @ 5V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 300V 4A (Ta) Surface Mount Die Outline (12-Solder Bar) |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 300V |
| Kuvaus: | TRANS GAN 300V 4A BUMPED DIE |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 4A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat EPC2025ENGR
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
EPC2029ENGRT | EPC | TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE | tiedustelu |
 |
EPC2020ENGR | EPC | TRANS GAN 60V 60A BUMPED DIE | tiedustelu |
|
EPC2024ENG | EPC | TRANS GAN 40V 60A BUMPED DIE | tiedustelu |
 |
EPC2025 | EPC | TRANS GAN 300V 150MO BUMPED DIE | tiedustelu |
 |
EPC2030ENGRT | EPC | MOSFET NCH 40V 31A DIE | tiedustelu |
|
EPC2029 | EPC | TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE | tiedustelu |
|
EPC2021ENGR | EPC | TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE | tiedustelu |
 |
EPC2022 | EPC | TRANS GAN 100V 3MOHM BUMPED DIE | tiedustelu |
|
EPC2022ENGRT | EPC | TRANS GAN 100V 60A BUMPED DIE | tiedustelu |
|
EPC2029ENGR | EPC | TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE | tiedustelu |
|
EPC2021ENG | EPC | TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE | tiedustelu |
|
EPC2023ENG | EPC | TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE | tiedustelu |
|
EPC2024 | EPC | MOSFET NCH 40V 60A DIE | tiedustelu |
 |
EPC2038ENGR | EPC | TRANS GAN 100V 0.5A BUMPED DIE | tiedustelu |
|
EPC2021 | EPC | TRANS GAN 80V 90A BUMPED DIE | tiedustelu |
|
EPC2020 | EPC | TRANS GAN 60V 90A BUMPED DIE | tiedustelu |
|
EPC2023ENGR | EPC | TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE | tiedustelu |
|
EPC2020ENG | EPC | TRANS GAN 60V 60A BUMPED DIE | tiedustelu |
|
EPC2024ENGR | EPC | TRANS GAN 40V 60A BUMPED DIE | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog