EPC2033ENGR
EPC2033ENGR
Osa numero:
EPC2033ENGR
Valmistaja:
EPC
Kuvaus:
TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
15274 Pieces
Tietolomake:
EPC2033ENGR.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä EPC2033ENGR, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma EPC2033ENGR sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa EPC2033ENGR BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 9mA
teknologia:GaNFET (Gallium Nitride)
Toimittaja Device Package:Die
Sarja:eGaN®
RDS (Max) @ Id, Vgs:7 mOhm @ 25A, 5V
Tehonkulutus (Max):-
Pakkaus:Tray
Pakkaus / Case:Die
Muut nimet:917-EPC2033ENGR
Käyttölämpötila:-40°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:EPC2033ENGR
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:1140pF @ 75V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:10nC @ 5V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 150V 31A (Ta) Surface Mount Die
Valua lähde jännite (Vdss):150V
Kuvaus:TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:31A (Ta)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit