Ostaa EPC2106ENGRT BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 600µA |
---|---|
Toimittaja Device Package: | Die |
Sarja: | eGaN® |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 70 mOhm @ 2A, 5V |
Virta - Max: | - |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | Die |
Muut nimet: | 917-EPC2106ENGRTR |
Käyttölämpötila: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan osanumero: | EPC2106ENGRT |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 75pF @ 50V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 0.73nC @ 5V |
FET tyyppi: | 2 N-Channel (Half Bridge) |
FET Ominaisuus: | GaNFET (Gallium Nitride) |
Laajennettu kuvaus: | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 100V 1.7A Surface Mount Die |
Valua lähde jännite (Vdss): | 100V |
Kuvaus: | TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 1.7A |
Email: | [email protected] |