EPC8007ENGR
EPC8007ENGR
Osa numero:
EPC8007ENGR
Valmistaja:
EPC
Kuvaus:
TRANS GAN 40V 3.8A BUMPED DIE
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
15947 Pieces
Tietolomake:
1.EPC8007ENGR.pdf2.EPC8007ENGR.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä EPC8007ENGR, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma EPC8007ENGR sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa EPC8007ENGR BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
teknologia:GaNFET (Gallium Nitride)
Toimittaja Device Package:Die
Sarja:eGaN®
RDS (Max) @ Id, Vgs:160 mOhm @ 500mA, 5V
Tehonkulutus (Max):-
Pakkaus:Tray
Pakkaus / Case:Die
Muut nimet:917-EPC8007ENGR
Käyttölämpötila:-40°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:EPC8007ENGR
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:39pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:0.3nC @ 5V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 40V 3.8A (Ta) Surface Mount Die
Valua lähde jännite (Vdss):40V
Kuvaus:TRANS GAN 40V 3.8A BUMPED DIE
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:3.8A (Ta)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit