EPC8009
EPC8009
Osa numero:
EPC8009
Valmistaja:
EPC
Kuvaus:
TRANS GAN 65V 2.7A BUMPED DIE
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
12228 Pieces
Tietolomake:
1.EPC8009.pdf2.EPC8009.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä EPC8009, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma EPC8009 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa EPC8009 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):+6V, -4V
teknologia:GaNFET (Gallium Nitride)
Toimittaja Device Package:Die
Sarja:eGaN®
RDS (Max) @ Id, Vgs:130 mOhm @ 500mA, 5V
Tehonkulutus (Max):-
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:Die
Muut nimet:917-1078-2
Käyttölämpötila:-40°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:14 Weeks
Valmistajan osanumero:EPC8009
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:52pF @ 32.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:0.45nC @ 5V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 65V 2.7A (Ta) Surface Mount Die
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):5V
Valua lähde jännite (Vdss):65V
Kuvaus:TRANS GAN 65V 2.7A BUMPED DIE
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:2.7A (Ta)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit