Suomi
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
Meistä | Ota meihin yhteyttä | Pyydä tarjous |
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > EPC8010
EPC8010
EPC8010
Osa numero:
EPC8010
Valmistaja:
EPC
Kuvaus:
TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
12325 Pieces
Tietolomake:
1.EPC8010.pdf2.EPC8010.pdf
tiedustelu

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä EPC8010, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma EPC8010 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa EPC8010 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):+6V, -4V
teknologia:GaNFET (Gallium Nitride)
Toimittaja Device Package:Die
Sarja:eGaN®
RDS (Max) @ Id, Vgs:160 mOhm @ 500mA, 5V
Tehonkulutus (Max):-
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:Die
Muut nimet:917-1086-2
Käyttölämpötila:-40°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:14 Weeks
Valmistajan osanumero:EPC8010
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:55pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:0.48nC @ 5V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 100V 2.7A (Ta) Surface Mount Die
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):5V
Valua lähde jännite (Vdss):100V
Kuvaus:TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:2.7A (Ta)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit

Aiheeseen liittyvät osat EPC8010

Kuva Osa numero valmistajat Kuvaus näkymä
EPC8009 Image EPC8009 EPC TRANS GAN 65V 2.7A BUMPED DIE tiedustelu
EPC8009ENGR Image EPC8009ENGR EPC TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE tiedustelu
EPC8002ENGR Image EPC8002ENGR EPC TRANS GAN 65V 2A BUMPED DIE tiedustelu
EPC8003ENGR Image EPC8003ENGR EPC TRANS GAN 100V 2.5A BUMPED DIE tiedustelu
EPC8010ENGR Image EPC8010ENGR EPC TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE tiedustelu
EPC8008ENGR Image EPC8008ENGR EPC TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE tiedustelu
FDD6760A Image FDD6760A Fairchild/ON Semiconductor MOSFET NCH 25V 27A DPAK tiedustelu
EPC8002 Image EPC8002 EPC TRANS GAN 65V 2.7A BUMPED DIE tiedustelu
NVMFS5C430NLT3G Image NVMFS5C430NLT3G ON Semiconductor MOSFET N-CH 40V 200A SO8FL tiedustelu
EPC8007ENGR Image EPC8007ENGR EPC TRANS GAN 40V 3.8A BUMPED DIE tiedustelu
EPC8004ENGR Image EPC8004ENGR EPC TRANS GAN 40V 4.4A BUMPED DIE tiedustelu
DMN3032LE-13 Image DMN3032LE-13 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT223 tiedustelu
TPH3206LD Image TPH3206LD Transphorm GAN FET 600V 17A PQFN88 tiedustelu
EPC8004 Image EPC8004 EPC TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE tiedustelu
IXFK30N100Q2 Image IXFK30N100Q2 IXYS MOSFET N-CH 1000V 30A TO-264 tiedustelu
FQD10N20LTF Image FQD10N20LTF Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK tiedustelu
EPC8005ENGR Image EPC8005ENGR EPC TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE tiedustelu
IRFR430APBF Image IRFR430APBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 500V 5A DPAK tiedustelu
NTD4806N-35G Image NTD4806N-35G ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 11A IPAK tiedustelu

Latest News