Ostaa IRF830ASPBF BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 4.5V @ 250µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±30V |
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | D2PAK |
Sarja: | - |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 1.4 Ohm @ 3A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 3.1W (Ta), 74W (Tc) |
Pakkaus: | Tube |
Pakkaus / Case: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Muut nimet: | *IRF830ASPBF |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan toimitusaika: | 11 Weeks |
Valmistajan osanumero: | IRF830ASPBF |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 620pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 24nC @ 10V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 500V 5A (Tc) 3.1W (Ta), 74W (Tc) Surface Mount D2PAK |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
Valua lähde jännite (Vdss): | 500V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 5A (Tc) |
Email: | [email protected] |