IXDI430MYI
Osa numero:
IXDI430MYI
Valmistaja:
IXYS Corporation
Kuvaus:
IC DRVR MOSF/IGBT 30A TO263-5
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
18147 Pieces
Tietolomake:
IXDI430MYI.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IXDI430MYI, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IXDI430MYI sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IXDI430MYI BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Supply:8.5 V ~ 35 V
Toimittaja Device Package:TO-263 (D²Pak)
Sarja:-
Rise / Fall Time (tyyppinen):18ns, 16ns
Pakkaus:Bulk
Pakkaus / Case:TO-263-6, D²Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
input Frequency:1
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:IXDI430MYI
Logiikkajännite - VIL, VIH:0.8V, 3.5V
Syötetyyppi:Inverting
Porttityyppi:IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Laajennettu kuvaus:Low-Side Gate Driver IC Inverting TO-263 (D²Pak)
Driven Configuration:Low-Side
Kuvaus:IC DRVR MOSF/IGBT 30A TO263-5
Nykyinen - Peak Output (Source, Sink):30A, 30A
Base-Emitter värikylläisyys Jännite (max):Single
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit