IXFN110N60P3
IXFN110N60P3
Osa numero:
IXFN110N60P3
Valmistaja:
IXYS Corporation
Kuvaus:
MOSFET N-CH 600V 90A SOT227
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
16459 Pieces
Tietolomake:
IXFN110N60P3.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IXFN110N60P3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IXFN110N60P3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IXFN110N60P3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 8mA
Vgs (Max):±30V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:SOT-227B
Sarja:HiPerFET™, Polar3™
RDS (Max) @ Id, Vgs:56 mOhm @ 55A, 10V
Tehonkulutus (Max):1500W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:SOT-227-4, miniBLOC
Muut nimet:625715
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Chassis Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:10 Weeks
Valmistajan osanumero:IXFN110N60P3
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:18000pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:245nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 600V 90A 1500W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):10V
Valua lähde jännite (Vdss):600V
Kuvaus:MOSFET N-CH 600V 90A SOT227
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:90A
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit