IXFN24N100
IXFN24N100
Osa numero:
IXFN24N100
Valmistaja:
IXYS Corporation
Kuvaus:
MOSFET N-CH 1KV 24A SOT-227B
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
15205 Pieces
Tietolomake:
IXFN24N100.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IXFN24N100, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IXFN24N100 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IXFN24N100 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:5.5V @ 8mA
Vgs (Max):±20V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:SOT-227B
Sarja:HiPerFET™
RDS (Max) @ Id, Vgs:390 mOhm @ 12A, 10V
Tehonkulutus (Max):568W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:SOT-227-4, miniBLOC
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Chassis Mount
Valmistajan toimitusaika:4 Weeks
Valmistajan osanumero:IXFN24N100
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:8700pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:267nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 1000V (1kV) 24A 568W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):10V
Valua lähde jännite (Vdss):1000V (1kV)
Kuvaus:MOSFET N-CH 1KV 24A SOT-227B
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:24A
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit