IXFN38N100P
IXFN38N100P
Osa numero:
IXFN38N100P
Valmistaja:
IXYS Corporation
Kuvaus:
MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227B
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
16088 Pieces
Tietolomake:
IXFN38N100P.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IXFN38N100P, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IXFN38N100P sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IXFN38N100P BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:6.5V @ 1mA
Vgs (Max):±30V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:SOT-227B
Sarja:HiPerFET™, PolarP2™
RDS (Max) @ Id, Vgs:210 mOhm @ 19A, 10V
Tehonkulutus (Max):1000W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:SOT-227-4, miniBLOC
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Chassis Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:8 Weeks
Valmistajan osanumero:IXFN38N100P
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:24000pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:350nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 1000V (1kV) 38A 1000W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):10V
Valua lähde jännite (Vdss):1000V (1kV)
Kuvaus:MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227B
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:38A
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit