IXFN56N90P
IXFN56N90P
Osa numero:
IXFN56N90P
Valmistaja:
IXYS Corporation
Kuvaus:
MOSFET N-CH 900V 56A SOT-227B
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
18935 Pieces
Tietolomake:
IXFN56N90P.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IXFN56N90P, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IXFN56N90P sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IXFN56N90P BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:6.5V @ 3mA
Vgs (Max):±30V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:SOT-227B
Sarja:Polar™
RDS (Max) @ Id, Vgs:135 mOhm @ 28A, 10V
Tehonkulutus (Max):1000W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:SOT-227-4, miniBLOC
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Chassis Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:IXFN56N90P
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:23000pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:375nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 900V 56A 1000W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):10V
Valua lähde jännite (Vdss):900V
Kuvaus:MOSFET N-CH 900V 56A SOT-227B
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:56A
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit