IXFP22N65X2
IXFP22N65X2
Osa numero:
IXFP22N65X2
Valmistaja:
IXYS Corporation
Kuvaus:
MOSFET N-CH 650V 22A TO-220
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
14046 Pieces
Tietolomake:
IXFP22N65X2.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IXFP22N65X2, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IXFP22N65X2 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IXFP22N65X2 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:5.5V @ 1.5mA
Vgs (Max):±30V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:TO-220
Sarja:HiPerFET™
RDS (Max) @ Id, Vgs:160 mOhm @ 11A, 10V
Tehonkulutus (Max):390W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-220-3
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:12 Weeks
Valmistajan osanumero:IXFP22N65X2
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:2310pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:38nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 650V 22A (Tc) 390W (Tc) Through Hole TO-220
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):10V
Valua lähde jännite (Vdss):650V
Kuvaus:MOSFET N-CH 650V 22A TO-220
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:22A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit