Ostaa IXTH3N120 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
IXTH3N120
- Osa numero:
- IXTH3N120
- Valmistaja:
- IXYS Corporation
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 1200V 3A TO-247
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 13733 Pieces
- Tietolomake:
- IXTH3N120.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä IXTH3N120, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IXTH3N120 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4.5V @ 250µA |
|---|---|
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | TO-247 (IXTH) |
| Sarja: | - |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 4.5 Ohm @ 500mA, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 200W (Tc) |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-247-3 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 4 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | IXTH3N120 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 1300pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 39nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 1200V (1.2kV) 3A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH) |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 1200V (1.2kV) |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 1200V 3A TO-247 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 3A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IXTH3N120
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
IXTH32P20T | IXYS | MOSFET P-CH 200V 32A TO-247 | tiedustelu |
|
IXTH30N25 | IXYS | MOSFET N-CH 250V 30A TO-247 | tiedustelu |
|
IXTH30N50L2 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 30A TO-247 | tiedustelu |
|
IXTH3N200P3HV | IXYS | MOSFET N-CH 2000V 3A TO-247 | tiedustelu |
|
IXTH3N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 3A TO-247 | tiedustelu |
|
IXTH3N150 | IXYS | MOSFET N-CH 1500V 3A TO-247 | tiedustelu |
|
IXTH30N60L2 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 30A TO-247 | tiedustelu |
|
IXTH30N50L | IXYS | MOSFET N-CH 500V 30A TO-247 | tiedustelu |
|
IXTH300N04T2 | IXYS | MOSFET N-CH 40V 300A TO-247 | tiedustelu |
|
IXTH36N20T | IXYS | MOSFET N-CH 200V 36A TO-247 | tiedustelu |
|
IXTH30N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 30A TO-247 | tiedustelu |
|
IXTH36P10 | IXYS | MOSFET P-CH 100V 36A TO-247 | tiedustelu |
|
IXTH30N50 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 30A TO-247 | tiedustelu |
|
IXTH36P15P | IXYS | MOSFET P-CH 150V 36A TO-247 | tiedustelu |
|
IXTH360N055T2 | IXYS | MOSFET N-CH 55V 360A TO-247 | tiedustelu |
|
IXTH32N65X | IXYS | MOSFET N-CH 650V 32A TO-247 | tiedustelu |
|
IXTH340N04T4 | IXYS | MOSFET N-CH 40V 340A | tiedustelu |
|
IXTH34N65X2 | IXYS | MOSFET N-CH 650V 34A TO-247 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog