Ostaa IXTP02N50D BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
IXTP02N50D
- Osa numero:
- IXTP02N50D
- Valmistaja:
- IXYS Corporation
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 500V 0.2A TO-220
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 12563 Pieces
- Tietolomake:
- IXTP02N50D.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä IXTP02N50D, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IXTP02N50D sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 5V @ 25µA |
|---|---|
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | TO-220AB |
| Sarja: | - |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 30 Ohm @ 50mA, 0V |
| Tehonkulutus (Max): | 1.1W (Ta), 25W (Tc) |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-220-3 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | IXTP02N50D |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 120pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | Depletion Mode |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 500V 200mA (Tc) 1.1W (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 500V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 500V 0.2A TO-220 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 200mA (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IXTP02N50D
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
IXTP05N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 500MA TO-263 | tiedustelu |
|
IXTP08N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-220 | tiedustelu |
|
IXTP05N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 0.75A TO-220 | tiedustelu |
|
IXTP08N100D2 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 0.8A TO220AB | tiedustelu |
|
IXTP06N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 600MA TO-220 | tiedustelu |
 |
SUP28N15-52-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 150V 28A TO220AB | tiedustelu |
|
IXTP08N50D2 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 800MA TO220AB | tiedustelu |
 |
DMP3130LQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23 | tiedustelu |
|
IXTP08N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 800MA TO-220 | tiedustelu |
 |
SI4493DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC | tiedustelu |
 |
IPD65R380E6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252 | tiedustelu |
|
IXTP01N100D | IXYS | MOSFET N-CH 1KV .1A TO-220AB | tiedustelu |
 |
SSM3K361R,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | SMALL-SIGNAL NCH MOSFET SOT23F Q | tiedustelu |
|
IXTP02N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 0.2A TO-220 | tiedustelu |
 |
RFP3055LE | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 11A TO-220AB | tiedustelu |
|
IXTP05N100M | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 700MA TO-220 | tiedustelu |
 |
STU10P6F6 | STMicroelectronics | MOSFET P-CH 60V 10A IPAK | tiedustelu |
 |
IPI80N06S3L-08 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A TO-262 | tiedustelu |
 |
JAN2N6790 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH TO-205AF TO-39 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog