IXTQ26P20P
IXTQ26P20P
Osa numero:
IXTQ26P20P
Valmistaja:
IXYS Corporation
Kuvaus:
MOSFET P-CH 200V 26A TO-3P
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
19059 Pieces
Tietolomake:
IXTQ26P20P.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IXTQ26P20P, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IXTQ26P20P sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IXTQ26P20P BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:TO-3P
Sarja:PolarP™
RDS (Max) @ Id, Vgs:170 mOhm @ 13A, 10V
Tehonkulutus (Max):300W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-3P-3, SC-65-3
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:8 Weeks
Valmistajan osanumero:IXTQ26P20P
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:2740pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:56nC @ 10V
FET tyyppi:P-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:P-Channel 200V 26A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-3P
Valua lähde jännite (Vdss):200V
Kuvaus:MOSFET P-CH 200V 26A TO-3P
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:26A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit