Ostaa IXTY01N100D BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
IXTY01N100D
- Osa numero:
- IXTY01N100D
- Valmistaja:
- IXYS Corporation
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-252AA
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 18652 Pieces
- Tietolomake:
- IXTY01N100D.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä IXTY01N100D, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IXTY01N100D sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | - |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | TO-252, (D-Pak) |
| Sarja: | - |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 110 Ohm @ 50mA, 0V |
| Tehonkulutus (Max): | 1.1W (Ta), 25W (Tc) |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 8 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | IXTY01N100D |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 120pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | Depletion Mode |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 1000V (1kV) 100mA (Tc) 1.1W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak) |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | - |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 1000V (1kV) |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-252AA |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 100mA (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IXTY01N100D
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
APT29F100B2 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 30A T-MAX | tiedustelu |
 |
IXTY08N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-252 | tiedustelu |
 |
STS26N3LLH6 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 30V 26A 8-SOIC | tiedustelu |
|
IXTY01N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 0.1A DPAK | tiedustelu |
|
IXTY08N50D2 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 800MA DPAK | tiedustelu |
 |
NTD60N02RT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 25V 8.5A DPAK | tiedustelu |
 |
BUK7615-100A,118 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK | tiedustelu |
|
IXTY02N50D | IXYS | MOSFET N-CH 500V 0.2A DPAK | tiedustelu |
|
IXTY02N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 0.2A DPAK | tiedustelu |
|
IXTY01N80 | IXYS | MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-252AA | tiedustelu |
|
IXTY08N100D2 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 800MA DPAK | tiedustelu |
|
IXTY06N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 90A TO-252 | tiedustelu |
 |
IXTY08N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 8A TO-220 | tiedustelu |
 |
IPB80N06S3-05 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 | tiedustelu |
 |
STB150N3LH6 | STMicroelectronics | MOSFET N CH 30V 80A D2PAK | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog