IXTY01N100D
Osa numero:
IXTY01N100D
Valmistaja:
IXYS Corporation
Kuvaus:
MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-252AA
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
18652 Pieces
Tietolomake:
IXTY01N100D.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IXTY01N100D, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IXTY01N100D sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IXTY01N100D BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:-
Vgs (Max):±20V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:TO-252, (D-Pak)
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:110 Ohm @ 50mA, 0V
Tehonkulutus (Max):1.1W (Ta), 25W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:8 Weeks
Valmistajan osanumero:IXTY01N100D
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:120pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:-
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:Depletion Mode
Laajennettu kuvaus:N-Channel 1000V (1kV) 100mA (Tc) 1.1W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):-
Valua lähde jännite (Vdss):1000V (1kV)
Kuvaus:MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-252AA
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:100mA (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit