Ostaa JAN1N1186R BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
JAN1N1186R
- Osa numero:
- JAN1N1186R
- Valmistaja:
- Microsemi
- Kuvaus:
- DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 19294 Pieces
- Tietolomake:
- JAN1N1186R.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä JAN1N1186R, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma JAN1N1186R sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Eteenpäin (Vf) (Max) @ Jos: | 1.4V @ 110A |
|---|---|
| Jännite - DC Reverse (Vr) (Max): | 200V |
| Toimittaja Device Package: | DO-5 |
| Nopeus: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Sarja: | Military, MIL-PRF-19500/297 |
| Pakkaus: | Bulk |
| Pakkaus / Case: | DO-203AB, DO-5, Stud |
| Muut nimet: | 1086-16238 1086-16238-MIL |
| Käyttölämpötila - liitäntä: | -65°C ~ 175°C |
| Asennustyyppi: | Chassis, Stud Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | JAN1N1186R |
| Laajennettu kuvaus: | Diode Standard, Reverse Polarity 200V 35A Chassis, Stud Mount DO-5 |
| diodi Tyyppi: | Standard, Reverse Polarity |
| Kuvaus: | DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB |
| Nykyinen - Käänteinen Vuoto @ Vr: | 10µA @ 200V |
| Nykyinen - Keskimääräinen Puhdistettu (Io): | 35A |
| Kapasitanssi @ Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat JAN1N1186R
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
JAN1N1188 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO5 | tiedustelu |
 |
JAN1N1206A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 12A DO203AA | tiedustelu |
|
JAN1N1188R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB | tiedustelu |
|
JAN1N1615R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 15A DO203AA | tiedustelu |
|
JAN1N1184 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB | tiedustelu |
|
JAN1N1186 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB | tiedustelu |
|
JAN1N1190 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB | tiedustelu |
|
JAN1N1202A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | tiedustelu |
|
JAN1N1202AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | tiedustelu |
|
JAN1N1615 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 15A DO203AA | tiedustelu |
|
JAN1N1190R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB | tiedustelu |
|
JAN1N1614R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 15A DO203AA | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog