Ostaa JAN1N5418US BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
JAN1N5418US
- Osa numero:
- JAN1N5418US
- Valmistaja:
- Microsemi
- Kuvaus:
- DIODE GEN PURP 400V 3A D5B
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 16885 Pieces
- Tietolomake:
- JAN1N5418US.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä JAN1N5418US, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma JAN1N5418US sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Eteenpäin (Vf) (Max) @ Jos: | 1.5V @ 9A |
|---|---|
| Jännite - DC Reverse (Vr) (Max): | 400V |
| Toimittaja Device Package: | D-5B |
| Nopeus: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Sarja: | Military, MIL-PRF-19500/411 |
| Käänteinen Recovery Time (TRR): | 150ns |
| Pakkaus: | Bulk |
| Pakkaus / Case: | SQ-MELF, B |
| Muut nimet: | 1086-2091 1086-2091-MIL |
| Käyttölämpötila - liitäntä: | -65°C ~ 175°C |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 8 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | JAN1N5418US |
| Laajennettu kuvaus: | Diode Standard 400V 3A Surface Mount D-5B |
| diodi Tyyppi: | Standard |
| Kuvaus: | DIODE GEN PURP 400V 3A D5B |
| Nykyinen - Käänteinen Vuoto @ Vr: | 1µA @ 400V |
| Nykyinen - Keskimääräinen Puhdistettu (Io): | 3A |
| Kapasitanssi @ Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat JAN1N5418US
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
JAN1N5417US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF | tiedustelu |
 |
JAN1N5419 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 500V 3A AXIAL | tiedustelu |
 |
JAN1N5417 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL | tiedustelu |
 |
JAN1N5416US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL | tiedustelu |
|
JAN1N5416 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL | tiedustelu |
|
JAN1N5415US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL | tiedustelu |
|
JAN1N5419US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 500V 3A D5B | tiedustelu |
|
JAN1N5418 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL | tiedustelu |
|
JAN1N5415 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL | tiedustelu |
 |
JAN1N5420 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL | tiedustelu |
|
JAN1N5420US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 3A D5B | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers